第526章 溃败 (3/4)

kl-bus良率22.5%

kl-clk良率29.3%

kl-diag良率28.9%

kl-pwr良率24.6%

这五颗也还能接受，良率上了20%，第一次流片，都能理解，接下来三颗的情况令人心碎。

kl-cu良率7.9%，仅有3颗测试通过。

kl-cu-r良率5.6%，仅有2颗测试通过。

kl-vu更是仅有1颗独苗，良率2.9%。

吴国华放下粉笔，转过身，看着台下。

会议室里安静得能听见墙上挂钟的滴答声。

“12颗芯片，没有一颗良率超过百分之八十。控制类、运算类的大芯片，良率几乎可以忽略不计。kl-vu，三万多门电路，只通过了1颗。”

他年轻的声音竟然显得有点很沉。

宋颜靠在椅背上，没说话。

陈光远翻开笔记本，看了几眼，抬起头：“戚工，表征实验室的切片分析做了没有？”

戚工站起来，走到黑板前，从文件夹里抽出一张照片，用磁铁吸在黑板上。

那是一张扫描电镜拍的芯片剖面照片，放大了几千倍，能看见金属线的截面、介质层的厚度、接触孔的形貌。

“这是kl-vu的切片。”戚工指着照片上的几个区域，“我们做了12颗失效芯片的切片分析，问题集中在几个方面。”

他在黑板上写了几行字。

“第一，金属线断线。4颗芯片发现了开路，位置在第二层金属的拐角处。电镜照片显示，金属线在拐角处明显变细，局部几乎断开。”

“第二，接触孔开路。3颗芯片的接触孔没有完全打开，钨塞填充不良，接触电阻比正常值大了两个数量级。”

“第三，栅氧击穿。两颗芯片的栅氧化层有针孔缺陷，漏电严重。”

“第四，硅片裂纹。一颗芯片在划片过程中产生了微裂纹，延伸到有源区。”

“第五，封装问题。两颗芯片的键合线从焊盘上脱落。”

他把粉笔放下，转过身。

“这些都是制造和封装环节的问题。设计本身有没有问题，要结合电测结果分析。”

陈光远点了点头，看向刘高工。

刘高工站起来，走到黑板前，拿起粉笔。

“工艺方面，我补充几点。”

他在黑板上画了一个晶圆的示意图，从中心到边缘画了几个同心圆。

“第一，匀胶边缘效应。晶圆边缘的光刻胶厚度比中心薄了将近20%，导致边缘区域的线条宽度偏细，有些地方甚至断线。失效分析中发现的金属线断线，大概率是光刻胶厚度不均导致的。”

“第二，刻蚀负载效应。大面积的金属区域刻蚀速率比稀疏区域慢，导致金属线宽度不均匀。kl-vu的金属线密度高，这个问题尤其严重。”

“第三，cmp凹陷。大面积的金属区域在化学机械抛光后会出现凹陷，影响后续光刻的焦深。kl-vu的大尺寸金属线就存在这个问题。”

“第四，离子注入的阴影效应。大角度注入时，光刻胶的侧壁会遮挡一部分注入区域，导致晶体管阈值电压不均匀。”

他放下粉笔，看着台下。

“这些问题，在小规模芯片上不明显。但到了kl-vu这种规模，每一个小问题都被放大了。”

会议室里嗡嗡声起来了，有人在小声讨论，有人在笔记本上记。

宋颜敲了敲桌子，安静下来。

“吴国华，你把具体的问题案例一个一个过一遍。”

吴国华点了点头，翻开笔记本。

“先讲时序收敛的问题。”

他在黑板上画了一个简图，是一个16位加法器的进位传递链。

“kl-vu的16位加法器，仿真模型每级进位延迟2纳秒，16级32纳秒，时钟周期余量充足。但实际测试，加法器在10兆赫以上就出错。”

他指着图上的进位线。

“问题出在进位线的版图上。进位线从芯片的一端走到另一端，跨越了将近2毫米的距离。金属线的寄生电阻和电容导致每级进位延迟到了5纳秒，16级80纳秒。低频正常，频率一高就错。”

他在旁边写了一个公式：